Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 10V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 1W (Ta) |
Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SOP (5.5x6.0) |
Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |