| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | N and P-Channel |
| FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 200V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V, 200pF @ 25V |
| Қуат - максимум | - |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 175°C |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | 8-VDFN Exposed Pad |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-VDFN (6x5) |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
