Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 100V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 12V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TO-252 |
Пакет / Корпус | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |