Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 20V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 16V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 2.9W (Tc) |
Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
Пакет / Корпус | 8-PowerVDFN |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |