Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Not For New Designs |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 600V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | 30V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 905pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 110W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | I2PAK |
Пакет / Корпус | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |