| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | P-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | +20V, -25V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 1.25W (Ta) |
| Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 6-UDFNB (2x2) |
| Пакет / Корпус | 6-WDFN Exposed Pad |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
