Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 20V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158 mOhm @ 800mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±8V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 500mW (Ta) |
Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | UFM |
Пакет / Корпус | 3-SMD, Flat Leads |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |