Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 650V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 20.7A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 208W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | PG-TO220-3-1 |
Пакет / Корпус | TO-220-3 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |