Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Discontinued at Digi-Key |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 110µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 3320pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 167W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | PG-TO262-3-1 |
Пакет / Корпус | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |