SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

EDA / CAD модельдері:
SIA430DJT-T1-GE3 PCB ізі және белгісі
Қор ресурсы:
Зауыттың артық акциясы / франчизаторлық дистрибьютор
Кепілдік:
1 жыл Endezo кепілдігі
Суреттеме:
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 More info
SKU: #0eef269f-7a04-1be4-f9c3-ef6dc7b85515

Бөлу:  

Өнім атрибуттары

Басу Суреттеме
Бөлімнің күйі
FET түрі
Технология
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (Max)
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds
FET ерекшелігі
Қуатты бөлу (максимум)
Жұмыс температурасы
Монтаж түрі
Жабдықтаушының құрылғы пакеті
Пакет / Корпус

Экологиялық және экспорттық классификациялар

Rohs күйі Rohs сәйкес келеді
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) Жатпайды
Өмірлік цикл мәртебесі Ескірген / өмірдің соңы
Қор санаты Қол жетімді қор

Сізге де ұнайды