Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | 2 P-Channel (Dual) |
FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 3.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Қуат - максимум | 1.1W |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SO |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |