Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 12V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 6V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 710mW (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | SOT-23-3 (TO-236) |
Пакет / Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |