| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | N-Channel |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 1200V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 400V |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 175W (Tc) |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Through Hole |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | HiP247™ |
| Пакет / Корпус | TO-247-3 |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
