Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Not For New Designs |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 10V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 1W (Ta) |
Жұмыс температурасы | - |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TSMT3 |
Пакет / Корпус | SC-96 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |