Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 20V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 10V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 700mW (Ta) |
Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TSMT8 |
Пакет / Корпус | 8-SMD, Flat Lead |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |