Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 20V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
FET ерекшелігі | Schottky Diode (Isolated) |
Қуатты бөлу (максимум) | 900mW (Ta) |
Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TSMT5 |
Пакет / Корпус | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |