| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 100V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 100A |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 50.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 238W |
| Жұмыс температурасы | 175°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | LFPAK56, Power-SO8 |
| Пакет / Корпус | SC-100, SOT-669 |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
