Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 25V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.69 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 858pF @ 12V |
FET ерекшелігі | Schottky Diode (Body) |
Қуатты бөлу (максимум) | 47W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | LFPAK56, Power-SO8 |
Пакет / Корпус | SC-100, SOT-669 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |