Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | 2 N-Channel (Dual) |
FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 260mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 10V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 23.6pF @ 10V |
Қуат - максимум | 285mW |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Пакет / Корпус | 6-XFDFN Exposed Pad |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | DFN1010B-6 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |