| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | 2 N-Channel (Dual) |
| FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 260mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 23.6pF @ 10V |
| Қуат - максимум | 285mW |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | DFN1010B-6 |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
