| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | N and P-Channel |
| FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 20V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
| Қуат - максимум | 1.1W |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | 8-SMD, Flat Lead |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | ChipFET™ |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
