Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 55V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 1.8W (Ta), 105W (Tc) |
Жұмыс температурасы | 175°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TO-262 |
Пакет / Корпус | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |