Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 500V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 9900pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 1400W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TO-264AA (IXFK) |
Пакет / Корпус | TO-264-3, TO-264AA |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |