Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 20V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 780mA (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.45V |
Vgs (Max) | ±12V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 97pF @ 15V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 540mW (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | Micro3™/SOT-23 |
Пакет / Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |