Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Ta), 19A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 2.1W (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | PG-TSDSON-6 |
Пакет / Корпус | 6-PowerVDFN |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |