| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Obsolete |
|---|---|
| FET түрі | P-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 600mA (Ta) |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 300mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 15V |
| Vgs (Max) | - |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | - |
| Жұмыс температурасы | - |
| Монтаж түрі | Through Hole |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Пакет / Корпус | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
