Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 100V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 1.3W (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Пакет / Корпус | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |