Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 55V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
FET ерекшелігі | Schottky Diode (Isolated) |
Қуатты бөлу (максимум) | 2W (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SO |
Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |