Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N and P-Channel |
FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 20V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 5.2A, 4.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
Қуат - максимум | 2W |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SO |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |