Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 5970pF @ 15V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | DIRECTFET™ MX |
Пакет / Корпус | DirectFET™ Isometric MX |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |