Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 7V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2270pF @ 15V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | DIRECTFET™ MQ |
Пакет / Корпус | DirectFET™ Isometric MQ |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |