Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 250V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 423pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 52W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | I-PAK |
Пакет / Корпус | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |