Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 23.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 650µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 38.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 3.1W (Ta), 59W (Tc) |
Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-DFN (5x6) |
Пакет / Корпус | 8-PowerTDFN |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |