| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | - |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 600V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 769W (Tc) |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Through Hole |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TO-258 |
| Пакет / Корпус | TO-258-3, TO-258AA |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
