Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | 2 N-Channel (Dual) |
FET ерекшелігі | Logic Level Gate, 4V Drive |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 35V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
Қуат - максимум | 2.2W |
Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SOIC |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |