| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2295pF @ 30V |
| Қуат - максимум | 1.9W |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | 12-WDFN Exposed Pad |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 12-MLP (5x4.5) |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
