| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET ерекшелігі | Standard |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 100V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 10.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 50V |
| Қуат - максимум | 2.2W |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | 8-PowerWDFN |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-Power 5x6 |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
