Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | 2 P-Channel (Dual) |
FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 20V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 3.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
Қуат - максимум | 700mW |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Пакет / Корпус | 6-VDFN Exposed Pad |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 6-MicroFET (2x2) |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |