| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET ерекшелігі | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| Қуат - максимум | - |
| Жұмыс температурасы | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | Die |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | Die |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
