Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 10.4A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 45.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2296pF @ 15V |
FET ерекшелігі | Schottky Diode (Body) |
Қуатты бөлу (максимум) | 1.55W (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SO |
Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |