Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 12V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 1.3V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 6V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 670mW (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | X2-WLB0808-4 |
Пакет / Корпус | 4-UFBGA, WLBGA |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |