Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 12V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 3.3V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 5A, 3.3V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 3.3V |
Vgs (Max) | ±8V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1503pF @ 6V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 1.47W |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | X3-DSN1010-3 |
Пакет / Корпус | 3-XDFN |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |