Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | N and P-Channel |
FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 6.5A, 4.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 501pF @ 15V |
Қуат - максимум | 1.2W |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SO |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |