| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Obsolete |
|---|---|
| FET түрі | N-Channel |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 1200V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -5V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 313mW (Tj) |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | Die |
| Пакет / Корпус | Die |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
