| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | N-Channel |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 1200V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 15V |
| Vgs (Max) | +15V, -4V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 113.6W (Tc) |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TO-263-7 |
| Пакет / Корпус | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
