Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 55V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 5160pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 158W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | DPAK |
Пакет / Корпус | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |