| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Obsolete |
|---|---|
| FET түрі | P-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 75A (Ta) |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 10V |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 60W (Tc) |
| Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | ATPAK |
| Пакет / Корпус | ATPAK (2 leads+tab) |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
