| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | 4 N-Channel |
| FET ерекшелігі | Silicon Carbide (SiC) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 147A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 332nC @ 5V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 5576pF @ 1000V |
| Қуат - максимум | 750W |
| Жұмыс температурасы | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Chassis Mount |
| Пакет / Корпус | Module |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | SP3 |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
