| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Obsolete |
|---|---|
| FET түрі | N-Channel |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 1200V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 273W (Tc) |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Chassis Mount |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | SOT-227 |
| Пакет / Корпус | SOT-227-4, miniBLOC |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
