Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 100V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta), 21A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 50V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 3.1W (Ta), 43W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-DFN (3x3) |
Пакет / Корпус | 8-PowerVDFN |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |