Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 18A, 27A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1095pF @ 15V |
Қуат - максимум | 3.5W, 4.1W |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Пакет / Корпус | 8-PowerVDFN |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-DFN (5x6) |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |